Conmutación resistiva

Marcelo Rozenberg

DF-FCEN-UBA

Jueves 30/8/2012, 14 hs
Aula Federman, 1er piso, Pabellón I

Las memoria resistivas de acceso aleatorio (RRAM) consisten en estructuras tipo condensador, donde el dieléctrico es un óxido de metal transition. Estos sistemas están emergiendo como fuertes candidatos para la próxima generación de dispositivos de memoria electrónica no-volátil. En esta charla describiré la fenomenologia física básica de la conmutación resistiva (resistive switching), y presentaré un modelo que describe el fenómeno observado en muchos óxidos de metales de transición de tipo perovskita. El estudio numérico del modelo predice que el efecto se debe a la distribución espacialmente heterogénea de vacantes de oxígeno debidas a los fuertes campos eléctricos que se desarrollan en la proximidad de los electrodos. Los resultados teóricos del modelo son validados a través de la comparación con experimentos no-triviales de fenómenos de histéresis en la resistencia, observados en cupratos (YBCO) y en muestras de manganitas (PCLMO). Los resultados de las simulaciones del modelo nos permitieron proponer un nuevo tipo de celda de memoria multi-nivel no-volátil. Presentaremos los resultados recientes de una implementación de un dispositivo de memoria de 6-bits.