Coloquio: Dinámica de sistemas retraso: de los láseres a las neuronas y vuelta
- 14-11-2024 14:00 |
- Aula Federman
En un estudio realizado en colaboración entre los investigadores Carlos Acha del Laboratorio de Bajas Temperaturas, Mariano Barella del Centro de Micro y Nano Tecnologıa del Bicentenario, INTI y Néstor Ghenzi y Diego Rubi de la Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA), se analizó la respuesta eléctrica de junturas de metales con dióxido de titanio (TiO2), poniendo en evidencia sus capacidades de memoria que les infieren un comportamiento eléctrico similar al que tienen las sinapsis que conectan a las neuronas en un sistema nervioso.
Así como la conectividad entre neuronas se modifica por la actividad eléctrica neuronal, los dispositivos basados en estas junturas que construyeron los investigadores actúan como una memoria resistiva (memristor) que puede adquirir distintos valores de conductividad según la historia eléctrica a los que fueron sometidos. Los investigadores identificaron los mecanismos de conducción dominantes, lo que les permitió modelizar su comportamiento eléctrico y así entender por qué, dependiendo del metal elegido para las junturas, se modifican parámetros característicos asociados a su emulación sináptica.
Phys. D: Appl. Phys. 52 (2019) 125401 / https://doi.org/10.1088/1361-6463/aafdf
Fig: ciclos de histéresis resistivos muestras un comportamiento diferente según e metal empleado para las junturas metal-TiO2.